必发·bifa(中国集团)唯一官方网站

　　必发BIFA官方网站ღ◈◈◈。必发·bifa(中国集团)唯一官方网站ღ◈◈◈，必发唯一中国官方网站ღ◈◈◈，bf88必官网登入ღ◈◈◈，美光  宣布推出业内最高密度的抗辐射 SLC NAND 闪存ღ◈◈◈。新发布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天级 NANDღ◈◈◈、NOR 和 DRAM 内存解决方案组合中的首款产品ღ◈◈◈，现已实现商业化ღ◈◈◈。该产品专为航空航天及其他极端严苛环境使用而设计ღ◈◈◈。该产品已根据 NASA 的 PEM-INST-001 标准进行了严格的测试ღ◈◈◈，包括极端温度循环ღ◈◈◈、缺陷筛选和动态老化ღ◈◈◈。它还基于美国军用标准 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通过了辐射耐受性验证ღ◈◈◈，确保其在高辐射环境中的可靠性ღ◈◈◈。这

　　(图片来源ღ◈◈◈：YMTC)长江存储技术有限公司（YMTC）ღ◈◈◈，中国领先的 NAND 存储器生产商ღ◈◈◈，自 2022 年底以来一直被美国商务部列入实体清单ღ◈◈◈，这基本上禁止了其获取先进制造设备ღ◈◈◈。尽管面临制裁和限制ღ◈◈◈，YMTC 计划今年扩大其生产能力ღ◈◈◈，目标是在 2026 年底前占据 NAND 存储器生产市场的 15%ღ◈◈◈，据《Digitimes》报道ღ◈◈◈。该公司还计划建设一条仅使用中国制造设备的试验生产线ღ◈◈◈。YMTC 将扩大产能至每月 15 万片晶圆启动据 DigiTimes 报道哔哩哔哩隐藏的肉片人肉片必发bf88ღ◈◈◈，预计到 2024 年底ღ◈◈◈，YMTC 的月产能将达到每月

　　中国存储半导体公司长鑫存储科技 （CXMT） 和长江存储科技 （YMTC） 正在加强其在全球存储半导体市场的影响力ღ◈◈◈，在大约一年后将其产能几乎翻了一番ღ◈◈◈。自去年以来ღ◈◈◈，中国内存开始在三星电子和 SK 海力士主导的通用 DRAM 市场中崭露头角ღ◈◈◈，从传统 DRAM 开始ღ◈◈◈，在国内市场需求和政府补贴的推动下ღ◈◈◈，中国内存正在提高其竞争力ღ◈◈◈。此外ღ◈◈◈，它还对高带宽内存 （HBM） 和 300 层 3D NAND 闪存等先进产品线提出了挑战必发bf88ღ◈◈◈，缩小了与三星电子和 SK 海力士的差距ღ◈◈◈。根据 ChosunBiz 21 日获得的 Omdia

　　根据TrendForce预估ღ◈◈◈，第三季NAND Flash价格走势ღ◈◈◈，预估平均合约价将季增5%至10%ღ◈◈◈，但eMMC必发bf88ღ◈◈◈、UFS产品ღ◈◈◈，因智慧手机下半年展望不明ღ◈◈◈，涨幅较低ღ◈◈◈。client SSD市场因OEM/ODM上半年去化库存情况优于预期ღ◈◈◈，增强第三季回补动能ღ◈◈◈。 而Windows 10停止支持ღ◈◈◈、新一代CPU推出引发换机潮ღ◈◈◈，以及DeepSeek一体机热潮ღ◈◈◈，皆带动client SSD需求ღ◈◈◈。此外ღ◈◈◈，部分原厂积极推动大容量QLC产品ღ◈◈◈，带动出货规模ღ◈◈◈。 综合以上因素ღ◈◈◈，预估第三季client SSD将季增3%至8%ღ◈◈◈。随NVIDIA B

　　SSD 对于提升 PC 及客户端设备的用户体验和系统性能至关重要ღ◈◈◈。Micron Technology Inc.近日宣布ღ◈◈◈，推出美光 2600 NVMe™ SSDღ◈◈◈，专为原始设备制造商（OEM）设计的高性价比客户端存储解决方案ღ◈◈◈。2600 SSD 搭载业界首款应用于SSD的第九代 QLC NAND（G9 QLC NAND）ღ◈◈◈，并采用美光创新的自适应写入技术（Adaptive Write Technology™ღ◈◈◈，AWT）ღ◈◈◈，在兼顾 QLC

　　TrendForce最新释出的存储器市场观察指出ღ◈◈◈，2025年第二季以来快速上涨的DDR4价格涨势ღ◈◈◈，恐将在第四季触顶回落; 而NAND市场虽受惠AI需求带动ღ◈◈◈，但因供需未形成紧张态势ღ◈◈◈，价格预期多呈持平ღ◈◈◈。TrendForce表示哔哩哔哩隐藏的肉片人肉片ღ◈◈◈，DDR4近期的强劲涨势ღ◈◈◈，主要来自供应商削减产出与市场抢货潮ღ◈◈◈，但这波动能可能难以延续至年底ღ◈◈◈。根据通路查核ღ◈◈◈，随着价格进入高档区间ღ◈◈◈，供应商正逐步释出库存ღ◈◈◈，预期第四季整体供应将逐步改善ღ◈◈◈。DDR5方面ღ◈◈◈，目前价格趋势稳定必发bf88ღ◈◈◈，2025年第二ღ◈◈◈、三季价格季增幅度预估介于3%至8%之间ღ◈◈◈。 不过ღ◈◈◈，部分二线OE

　　纵观整个电子行业ღ◈◈◈，往更高密度的集成电路发展无疑是主流趋势ღ◈◈◈。相对于逻辑电路追求晶体管密度提升ღ◈◈◈，类似于FLASH NAND这样的非易失性存储还需要考虑到电子的稳定保存ღ◈◈◈，单纯的提升制造工艺并不能很好的解决所有存储问题ღ◈◈◈，在稳定保存的前提下追求更高的存储密度才能确保新技术ღ◈◈◈、新产品可持续发展ღ◈◈◈，存储单元向上要空间成为顺理成章的事情ღ◈◈◈，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell）ღ◈◈◈，TLC（Triple-Level Cell）ღ◈◈◈，以及日渐成为主流的QLC（Quad-Lev

　　韩国顶尖国家级研究机构 KAIST 发布了一份 371 页的论文ღ◈◈◈，详细介绍了到 2038 年高带宽内存（HBM）技术的演进ღ◈◈◈，展示了带宽ღ◈◈◈、容量ღ◈◈◈、I/O 宽度以及热量的增加ღ◈◈◈。该路线D 堆叠ღ◈◈◈、以内存为中心的架构以及嵌入 NAND 存储ღ◈◈◈，甚至基于机器学习的方法来控制功耗ღ◈◈◈。请记住ღ◈◈◈，该文件是关于 HBM 技术假设演进的ღ◈◈◈，基于当前行业和研究方向ღ◈◈◈，而不是任何商业公司的实际路线图ღ◈◈◈。（图片来源ღ◈◈◈：KAIST）每堆叠的 HBM 容量将从 288GB 增加到 34

　　上半年ღ◈◈◈，时至过半ღ◈◈◈。回顾这半年的半导体市场ღ◈◈◈，似是相对平静ღ◈◈◈，但是仔细回想也有不少芯片巨头在该背景下做了诸多调整ღ◈◈◈。它们接连「动刀」ღ◈◈◈，果断退出部分产品领域ღ◈◈◈。在这个过程中会对半导体产业造成哪些影响？又有哪些公司同步受益？芯片巨头ღ◈◈◈，放弃这些芯片存储三巨头哔哩哔哩隐藏的肉片人肉片ღ◈◈◈，计划停产 DDR3 和DDR4关于三星ღ◈◈◈、SK 海力士ღ◈◈◈、美光等主要 DRAM 制造商计划停产 DDR3 和 DDR4 内存的消息ღ◈◈◈，想必业内人士早有耳闻ღ◈◈◈。今年 2 月ღ◈◈◈，这则消息正式传来ღ◈◈◈，这一决策是由于对 HBM（高带宽内存）和 DDR5 等

　　据消息人士透露ღ◈◈◈，三星计划在下个月停止接收MLC NAND芯片的订单ღ◈◈◈，标志着其将逐步退出MLC NAND（多层单元NAND）业务ღ◈◈◈。同时ღ◈◈◈，三星还提高了MLC NAND的价格ღ◈◈◈，促使部分客户开始寻找替代供应商ღ◈◈◈。LG显示（LG Display）正是受影响的客户之一ღ◈◈◈。该公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒体卡）中使用三星的MLC NANDღ◈◈◈。目前哔哩哔哩隐藏的肉片人肉片ღ◈◈◈，LG显示正在寻求其他供应商ღ◈◈◈，以填补这一空缺ღ◈◈◈。据悉ღ◈◈◈，LG显示此前的eMMC产品还使用了ESMT和铠侠的产品必发bf88ღ◈◈◈。其中ღ◈◈◈，ESMT的eMMC采用了三星的MLC

　　业界传出ღ◈◈◈，全球BT载板用基材龙头的日本三菱瓦斯化学株式会社（MGC）必发bf88ღ◈◈◈，近日向客户发出BT材料「延迟交付」通知ღ◈◈◈。 随着原料缺货日益严峻ღ◈◈◈，载板供应中长期将出现短缺ღ◈◈◈。 供应链业者同步透露ღ◈◈◈，金价持续上涨ღ◈◈◈、产品交期延长ღ◈◈◈，NAND Flash控制芯片等领域ღ◈◈◈，也可望转嫁成本上涨ღ◈◈◈，包括群联ღ◈◈◈、慧荣等主控业者有机会受惠ღ◈◈◈。多家BT载板业者证实ღ◈◈◈，确实2025年5月上旬时ღ◈◈◈，陆续接获日本MGC书面通知ღ◈◈◈，部分高阶材料订单交期将进一步拉长ღ◈◈◈，显示先前传出ABF载板材料供不应求的情形ღ◈◈◈，已进一步向BT载板供应链蔓延ღ◈◈◈。据三菱发出的通知内容指出ღ◈◈◈，

　　Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新ღ◈◈◈，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用ღ◈◈◈。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时ღ◈◈◈，该公司表示ღ◈◈◈，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发ღ◈◈◈。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上ღ◈◈◈，即分拆前不久ღ◈◈◈，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西ღ◈◈◈。在同

　　业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash哔哩哔哩隐藏的肉片人肉片ღ◈◈◈，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能ღ◈◈◈，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢ღ◈◈◈、易受坏块干扰的行业痛点哔哩哔哩隐藏的肉片人肉片ღ◈◈◈。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量ღ◈◈◈、低成本优势的新型解决方案ღ◈◈◈，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇ღ◈◈◈，成为安防哔哩哔哩隐藏的肉片人肉片ღ◈◈◈、工业ღ◈◈◈、IoT等快速启动应用场景的理想之选ღ◈◈◈。GD5F1GM9系列

　　兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flashღ◈◈◈， 突破性读取速度ღ◈◈◈，助力应用快速启动

　　近日ღ◈◈◈，兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flashღ◈◈◈，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能必发bf88ღ◈◈◈，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢ღ◈◈◈、易受坏块干扰的行业痛点ღ◈◈◈。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量ღ◈◈◈、低成本优势的新型解决方案ღ◈◈◈，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇ღ◈◈◈，成为安防ღ◈◈◈、工业ღ◈◈◈、IoT等快速启动应用场景的理想之选ღ◈◈◈。GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24n

　　一般快闪记忆体可分为二大规格ღ◈◈◈，一是NANDღ◈◈◈，一是NOR. 简单的来说ღ◈◈◈，NAND规格快闪记忆体像硬碟ღ◈◈◈，以储存数据为主必发bf88ღ◈◈◈，又称为Data Flashღ◈◈◈，晶片容量大ღ◈◈◈，目前主流容量已达二Gbღ◈◈◈；NOR规格记忆体则类似DRAMღ◈◈◈，以储存程序代码为主ღ◈◈◈，又称为Co deFlashღ◈◈◈，所以可让微处理器直接读取ღ◈◈◈，但晶片容量较低ღ◈◈◈，主流容量为五一二Mbღ◈◈◈。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同ღ◈◈◈，读写速度也有很 [查看详细]